GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子元件试给出各元件的

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  GTO(门级可合断晶闸管):全控型器件电压、电流容量大,合用于大功率局面,拥有电导调造效应,其通流才能很强电流合断增益很幼,合断时门极负脉冲电流大,开合速率低,驱动功率大,驱动电途杂乱,开合频率低。GTO 电压、电流容量大,合用于大功率局面,拥有电导调造效应,其通流才能很强 电流合断增益很幼,合断时门极负脉冲电流大,开合速率低,驱动功率大,驱动电途杂乱,开合频率低。

  GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开合个性好。GTR 耐压高,电流大,开合个性好,通流才能强,饱和压低落 开合速率低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电途杂乱,存正在二次击穿题目。

  MOSFET (电力场效应晶体管)驱动电途方便,须要驱动功率幼,开合速率疾,办事频率高,热安靖性高于GTR然则电流容量幼。MOSFET 开合速率疾,输入阻抗高,热安靖性好,所需驱动功率幼且驱动电途方便,办事频率高,不存正在二次击穿题目 电流容量幼,耐压低,平常只合用于功率不逾越10kW的电力电子安装。